特許

J-GLOBAL ID：201103045462358234

成膜方法及び太陽電池の製造方法

発明者： 中村 優也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (3件)： 寺山 啓進 ,  伊藤 市太郎 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-272976
公開番号（公開出願番号）：特開2011-117013
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板200に蒸着源20から供給される蒸着材料25を蒸着させ、基板200の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源20の直上寄りに位置する基板200の端部200aと蒸着材料供給部21との距離d1、及び基板200の端部200bと蒸着材料供給部21との距離d2が略同一となるように、基板200を傾斜させた状態に位置させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の凸部による幾何学的な凹凸が形成された基板に蒸着源から供給される蒸着材料を蒸着させ、 前記蒸着源の何れかの側方視において、前記凹凸が、前記蒸着源の蒸着材料供給部から延びる直線である供給直線との前記蒸着源側の角度が所定角度になる対向面と、前記供給直線との前記蒸着源側の角度が前記所定角度よりも小さい角度になる非対向面とを含み、 前記基板の表面に膜を形成する成膜方法であって、 前記側方視において、前記供給直線が前記非対向面を介して前記基板内に入射するように前記基板を位置させる位置決めステップと、 前記位置決めステップにおいて位置決めされた前記基板に対して、前記蒸着源から前記蒸着材料を供給し、前記蒸着材料を前記基板の表面に蒸着させる蒸着ステップと を備える成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C14/24 S ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

Fターム (35件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029AA29 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB14 ,  4K029FA01 ,  4K029JA01 ,  4K029KA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA02 ,  5F051AA04 ,  5F051CA13 ,  5F051CA34 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051FA02 ,  5F051HA07 ,  5F151AA02 ,  5F151AA04 ,  5F151CA13 ,  5F151CA34 ,  5F151CB15 ,  5F151CB27 ,  5F151FA02 ,  5F151HA07