特許
J-GLOBAL ID：201103045472992918
擬似スタティックRAM
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
大日方 富雄 (外2名)
, 大日方 富雄
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭59-173275
公開番号（公開出願番号）：特開昭61-051694
出願日： 1984年08月22日
公開日（公表日）： 1986年03月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ダイナミック型メモリセルがマトリックス状に配置されてなるメモリアレイと、該メモリアレイ内のいずれかのメモリ行を指定するロウアドレス信号を受ける外部端子および上記メモリアレイ内のいずれかのメモリ列を指定するカラムアドレス信号を受ける外部端子と、上記ロウアドレス信号を受けてメモリ行を選択するための信号を形成するロウアドレス選択回路と、上記カラムアドレス信号を受けてメモリ行を選択するための信号を形成するカラムアドレス選択回路と、上記メモリアレイ内の互いに対をなす各相補データ線間のレベル差を増幅する複数個のセンスアンプと、アドレスカウンタを有し外部からの制御信号を受けて起動され上記メモリアレイ内のいずれかのメモリ行のワード線を選択するアドレス信号を生成する自動リフレッシュ回路と、上記外部端子より入力されるアドレス信号の変化を検出するアドレス信号変化検出回路と、該アドレス信号変化検出回路からの検出信号と外部から制御信号に基づいて上記ロウアドレス選択回路やカラムアドレス選択回路等の内部回路に対するタイミング信号を生成するタイミング発生回路と、上記各相補データ線間に接続されこれらを短絡させることによりプリチャージを行なうプリチャージ回路と、電源投入時における電源電圧変化を検出して所定時間幅のパルス信号を発生するパルス発生回路とを備えた擬似スタティックRAMであって、上記センスアンプはその一対の入出力端子が上記相補データ線のそれぞれに接続されたCMOSラッチ回路と該CMOSラッチ回路に電源電圧および接地電位を供給する一対のパワースイッチMOSFETとからなり、上記パルス発生回路から出力される上記パルス信号と上記タイミング発生回路から出力されるセンスアンプの動作用タイミング信号とを論理回路で論理合成したタイミング信号により上記パワースイッチMOSFETをオンさせて各センスアンプを動作させるように構成されていることを特徴とする擬似スタティックRAM。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開昭59-056292
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特開昭52-050507
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特開昭58-185092
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