特許

J-GLOBAL ID：201103045593768730

半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 聖幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286241
特許番号：特許第3292172号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記シリコン窒化膜のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度の添加ガスとの混合ガスを用い、前記ドライエッチングの条件は、圧力を200mTorr、基板に印加する13.56MHzの高周波パワーを360W、基板温度を20°Cとしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045275   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭59-054227