特許

J-GLOBAL ID：201103045597282980

非揮発性メモリ装置

発明者： 李 昇妍
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-285540
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138598
出願日： 2010年12月22日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス(Hysteresis)特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証(Verify)時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。【解決手段】ビットラインBL及びソースラインSLに印加される書込み電流に従い、磁気抵抗素子MTJにデータを読出し及び書込みするメモリセル100と、ビットライン及びソースラインの電圧を検出する電圧検出部110と、電圧検出部の出力に従い書込み制御信号の活性化の可否を制御する書込み電流制御部120と、書込み制御信号の活性化の可否に従い、メモリセル100に供給される書込み電流の量を制御する書込み駆動部WD1,WD2とを含む。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ビットライン及びソースラインに印加される書込み電流に従い、磁気抵抗素子にデータを読出し及び書込みするメモリセルと、 前記ビットライン及び前記ソースラインの電圧を検出する電圧検出部と、 前記電圧検出部の出力に従い書込み制御信号の活性化の可否を制御する書込み電流制御部と、 前記書込み制御信号の活性化の可否に従い、前記メモリセルに供給される前記書込み電流の量を制御する書込み駆動部と を含むことを特徴とする非揮発性メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (5件)：

G11C11/15 140 ,  H01L43/08 A ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z

Fターム (12件)：

4M119AA05 ,  4M119AA06 ,  4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119HH01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25