光センサ装置及びEUV放射を検出する方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：稲葉良幸 , 大貫敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-162445
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228742
出願日： 2011年07月25日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】EUVシステム内で蓄積される汚染の量をモニタリングできる光センサ装置を提供する。【解決手段】極端紫外線リソグラフィシステムにおける使用のための光センサ装置が開示される。装置は、センサ表面およびセンサ表面からデブリを除去する除去機構を備えた光るセンサを含む。したがって、ドーズおよび/または汚染測定は、リソグラフィシステムに対して都合よく行われ得る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

極端紫外線リソグラフィシステムにおける使用のための光センサ装置であって、センサ表面を含む光センサと、前記センサ表面からデブリを除去する除去機構とを含む、光センサ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G21K 1/06 , H05G 2/00

FI (3件)：

H01L21/30 531A , G21K1/06 C , H05G1/00 K

Fターム (11件)：

4C092AA04 , 4C092AA06 , 4C092AB19 , 4C092AC09 , 4C092CF47 , 5F146GA03 , 5F146GA04 , 5F146GA09 , 5F146GA21 , 5F146GA24 , 5F146GA28

引用特許：

審査官引用 (14件)

放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-530300 出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ., コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
光学素子における蒸着物の除去方法、光学素子の保護方法、デバイス製造方法、光学素子を含む装置、およびリソグラフィ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-289648 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-414495 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ

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