特許
J-GLOBAL ID：201103045747725613
閉じた電子ドリフトを使用するイオン加速器での磁束形成
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 白根 俊郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-552397
特許番号：特許第4294867号
出願日： 1999年06月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下流方向を規定した、出口側端部を通してガスを放電する、この出口側端部を含む環状のガス放電領域を有する閉じた電子ドリフトを使用するイオン加速器であって、
前記出口側端部に隣接した環状のガス放電領域の内側に位置し、このガス放電領域に囲まれた内方の磁極と、
前記出口側端部に隣接した環状のガス放電領域の外側に位置し、このガス放電領域を囲んだ外方の磁極と、
前記ガス放電領域の出口側端部の付近で、前記内方の極と外方の極との間にほぼ径方向に延びる磁場を生じさせるための磁場源と、
前記ガス放電領域の出口側端部の上流に位置したアノードと、
前記出口側端部に向かう下流方向への流れのために、前記ガス放電領域にイオン化可能なガスを供給するためのガス源と、
ほぼ上流方向で、前記ガス放電領域の出口側端部に向かう導入のために、自由電子を供給するための電子源と、
前記出口側端部を通して下流方向にアノードから延びる電場を生じさせることによって、推進の反力を生じさせるために電場によって下流方向に加速されるイオンを生じさせるように、前記ガス源からのイオン化可能なガスと前記電子源からの自由電子とを相互に作用させる電場源と、
前記ガス放電領域の出口側端部の領域中に磁場を形成するための磁束バイパス構成部材とを具備し、この構成部材は、
前記出口側端部に隣接した環状のガス放電領域の内側に位置し、このガス放電領域に囲まれた透磁性材の下流の内方のリングと、
前記下流の内方のリングから上流に所定の距離の位置での前記環状のガス放電領域の内側に位置し、このガス放電領域に囲まれた透磁性材の上流の内方のリングと、
前記下流の内方のリングと上流の内方のリングとを磁気結合させる内方の透磁性材と、
前記出口側端部に隣接した環状のガス放電領域の外側に位置し、この放電領域を囲んだ透磁性材の下流の外方のリングと、
前記下流の外方のリングから上流の位置での前記環状のガス放電領域を囲んだ透磁性材の上流の外方のリングと、
前記下流の外方のリングと上流の外方のリングとを磁気結合させる外方の透磁性材と、
前記下流の内方のリングから、前記内方の透磁性材を通して上流の内方のリングに、また、前記上流の透磁性材を通して上流の外方のリングに、そして、前記外方の透磁性材を通して下流の外方のリングへの連続した磁路を形成し、前記磁性材の少なくとも1つが、前記ガス放電領域の出口側端部の付近での磁場の形状を制御するように磁路の磁気抵抗を調節するための開口を有し、前記上流の内方のリングと上流の外方のリングとを結合させる上流の透磁性材とを備えている、加速器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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