特許

J-GLOBAL ID：201103045759771068

半導体ウェーハ及びその製造方法

発明者： 藤井 もゆる
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090708
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274129
特許番号：特許第3440997号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スクライブラインに近接した電極パッドを有する半導体ペレットが行列状に配置された配線パターン形成済みウェーハが準備される工程と、全ての電極パッドの大部分の領域と、スクライブラインの大部分の領域と、スクライブラインと近接した電極パッドと前記スクライブラインとの間の領域とを除いた部分に前記半導体ペレットの表面を保護するためのポリイミド膜がパターン形成されるポリイミド膜形成工程と、その後、このウェーハの裏面が研削される裏面研削工程とを有する半導体ウェーハの製造方法において、前記ポリイミド膜形成工程のポリイミド膜のパターンが、縦横に格子状に走るスクライブラインの交叉点近傍にスクライブラインを分断して裏面研削時に発生する研削屑の侵入を防ぐような堤防を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 L

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-264430
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-195162   出願人：カシオ計算機株式会社