特許
J-GLOBAL ID:201103045823926852
半導体集積回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-356090
公開番号(公開出願番号):特開2002-163888
特許番号:特許第3710703号
出願日: 2000年11月22日
公開日(公表日): 2002年06月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 機能回路と、前記機能回路の動作に使用される電源電圧発生回路を備えた半導体集積回路であって、 前記電源電圧発生回路において、作動点に微小な電圧差を有する参照電圧が入力される一対の差動増幅器によって出力段を形成するトランジスタ群を駆動し、 前記一対の差動増幅器と異なる差動増幅器において、前記一対の差動増幅器に入力される前記参照電圧のいずれよりも小さい参照電圧と、前記トランジスタ群のうち対応するトランジスタからの出力電圧との大小比較を行い、出力段を形成する他のトランジスタを駆動し、 前記電源電圧発生回路が、それぞれ直列に接続された第一の抵抗器と、第二の抵抗器と、第三の抵抗器と、第四の抵抗器を備えるとともに、 第一の差動増幅器と、第二の差動増幅器と、第三の差動増幅器と、第一のトランジスタと、第二のトランジスタと、第三のトランジスタを備えており、 前記第一の抵抗器は前記第二の抵抗器と接続された端子と反対側の端子を前記第一の電源電位に接続し、前記第四の抵抗器は前記第三の抵抗器と接続された端子と反対側の端子を前記接地電位に接続したものであって、 前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ及び前記第三のトランジスタのゲート端子が、前記第一の差動増幅器、前記第二の差動増幅器及び前記第三の差動増幅器の出力にそれぞれ接続され、 前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ及び前記第三のトランジスタのソース端子が、前記第一の電源電位あるいは前記接地電位のいずれかに接続され、 前記第一のトランジスタ、前記第二のトランジスタ及び前記第三のトランジスタのドレイン端子が出力端子に接続されたものであって、 前記第一の差動増幅器、前記第二の差動増幅器及び前記第三の差動増幅器の一方の入力が前記出力端子に接続され、前記第一の差動増幅器の他方の入力には前記第一の抵抗器と前記第二の抵抗器の間で作られる第一の参照電圧が、前記第二の差動増幅器の他方の入力には前記第二の抵抗器と前記第三の抵抗器の間で作られる第二の参照電圧が、前記第三の差動増幅器の他方の入力には前記第三の抵抗器と前記第四の抵抗器の間で作られる第三の参照電圧が、それぞれ入力される構成であり、 前記電源電圧発生回路を構成する差動増幅器のうち、前記第一の差動増幅器の動作電源電圧を、前記第一の電源電圧よりも高い値を持つ第二の電源電圧により駆動させ、前記第二の差動増幅器あるいは前記第三の差動増幅器は前記第一の電源電圧で駆動させることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件):
G11C 11/407
, G11C 11/413
FI (2件):
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 335 A
引用特許:
審査官引用 (13件)
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-092781
出願人:富士通株式会社
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特開平1-161513
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特開平4-042313
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特開平4-119589
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半導体装置およびその検査方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-252649
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-109409
出願人:日本電気株式会社
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ダイナミツクRAM
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-279387
出願人:日本電気株式会社
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半導体メモリ装置の定電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-163080
出願人:三星電子株式会社
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ドロップアウトの小さい昇圧電源付きオンチップ電圧調整器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-350668
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-118757
出願人:株式会社沖マイクロデザイン, 沖電気工業株式会社
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特開平1-161513
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特開平4-042313
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特開平4-119589
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