特許

J-GLOBAL ID：201103045917130407

プラズマ処理装置

発明者： 久保田 和宏 ,  川端 淳史 ,  戸澤 茂樹 ,  石川 拓 ,  西部 晴仁
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286235
特許番号：特許第4450883号
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 内部が真空状態に保持可能なチャンバーと、 前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、 前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入機構と、 被処理体を支持するとともに、高周波が印加される下部電極と、 前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、 前記チャンバー外に設けられ、前記下部電極に高周波を印加して、上部電極および下部電極の間に処理ガスのプラズマを形成する高周波電源と、 前記高周波電源から前記下部電極に給電するための給電部材と、 プラズマから少なくともチャンバー内壁を通って高周波電源へ戻るリターン電流回路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段と、を具備し、 前記インピーダンス調整手段は、その容量が可変のコンデンサーであり、 プラズマ処理装置が正常状態にあるときには、プラズマ発光が実質的に観察されないチャンバー内領域におけるプラズマ発光を検出する検出器と、 前記検出器の出力に応じて前記コンデンサーの容量を調整する制御手段と、 を、さらに具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  C23C 16/505 ( 200 6.01) ,  C23F 4/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/302 103 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145785   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203794   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058516   出願人：株式会社フロンテック, 日本真空技術株式会社
• 特開昭61-269315
  

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145785   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203794   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058516   出願人：株式会社フロンテック, 日本真空技術株式会社