半導体記憶回路デバイス

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-136046
公開番号（公開出願番号）：特開平3-003193
特許番号：特許第2907869号
出願日： 1989年05月31日
公開日（公表日）： 1991年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ワード線群とビット線群とそれらで駆動されるメモリセルとからなるメモリセルアレーが二次元的に配置された半導体記憶回路デバイスにおいて、上記メモリセルアレーがX方向Y方向共に少なくとも3個以上配置され、ワード線を駆動する第1の選択駆動回路及びビット線を駆動する第2の選択駆動回路はそれぞれのメモリーセルアレーに隣接して設けられ、上記第1の選択駆動回路、及び上記第2の選択駆動回路は少なくともそれらの一部が、メモリセルアレーの上層を通過する配線層で構成した信号線で駆動されていることを特徴とする半導体記憶回路デバイス。

IPC (1件)：