特許
J-GLOBAL ID：201103046007395306
半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの振動膜の製造方法、振動膜及びこの振動膜を用いた半導体エレクトレットコンデンサマイクロホン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大西 孝治
, 大西 正夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184355
公開番号（公開出願番号）：特開2002-010395
特許番号：特許第3583350号
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】形成されるべき振動膜に相当する部分を露出したマスクをエッチングが可能な母材基板の表面に形成する工程と、前記露出した振動膜に相当する部分に振動膜となる非展延性金属薄膜のメッキを施す工程と、非展延性金属薄膜のメッキが施された部分の母材基板をメッキが施されていない裏面側からエッチングで除去する工程と、エッチングで除去された部分に母材基板の裏面側からリングを嵌め込んで、リングと前記非展延性金属薄膜とを接合するとともに、非展延性金属薄膜を振動膜として母材基板から分離する工程とを具備したことを特徴とする半導体エレクトレットコンデンサマイクロホンの振動膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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