特許
J-GLOBAL ID：201103046024312635
パラメータ抽出プログラムおよび半導体集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074782
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280540
特許番号：特許第4363790号
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子の電気特性を模擬的に算出する回路素子モデルのパラメータ値を抽出するパラメータ抽出プログラムであって、
物理的、構造的に最も単純化された前記半導体素子の素子構造と物理モデルを用いてデバイスシミュレーションを実行し当該素子構造の電気特性を抽出する第1の処理と、
抽出した前記電気特性に基づいて、物理的、構造的に最も単純化された前記半導体素子の素子構造および物理モデルと関係するパラメータの値を決定する第2の処理と、
電気特性を抽出した素子構造と物理モデルの内、前記半導体素子の素子構造および物理モデルにおいて考慮されていなかった素子構造および特性を分離された物理モデルの少なくとも一方を一部追加又は変更する第3の処理と、
前記半導体素子の素子構造および物理モデルにおいて考慮されていなかった素子構造および特性を分離された物理モデルの少なくとも一方を一部追加又は変更された、新たな素子構造および物理モデルを用いてデバイスシミュレーションを実行し、当該素子構造の電気特性を抽出する第4の処理と、
抽出した前記電気特性に基づいて、素子構造および物理モデルの一部追加又は変更された部分と関係するパラメータの値を決定する第5の処理と、
前記半導体素子の素子構造および物理モデルにおいて考慮されていなかった素子構造および特性を分離された物理モデルの少なくとも一方を一部追加又は変更された、新たな素子構造および物理モデルが、最終的な素子構造および物理モデルに基づくものであるか否かを判別し、最終的な素子構造および物理モデルに基づくものでない場合、前記第3〜第5の処理を再び実行し、最終的な素子構造および物理モデルに基づくものである場合、決定したパラメータ値を出力する第6の処理と
をコンピュータに実行させることを特徴とするパラメータ抽出プログラム。
IPC (2件)：
H01L 29/00 ( 200 6.01)
, G06F 17/50 ( 200 6.01)
H01L 29/00
, G06F 17/50 662 G
