特許

J-GLOBAL ID：201103046060831894

酸化物超電導体薄膜の製造方法

発明者： 山崎 六月 ,  芳野 久士
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-231193
公開番号（公開出願番号）：特開平3-093608
特許番号：特許第2854623号
出願日： 1989年09月05日
公開日（公表日）： 1991年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】1×10-3Torr以下の減圧状態とされた真空容器内で、酸化物超電導体を構成する各金属元素を蒸発させて基体表面に堆積させ、前記酸化物超電導体の薄膜を作製するにあたり、前記真空容器内で開口させた、口径が管径の1/4以下のノズルを有する酸素活性種発生容器を前記真空容器内に配置し、1×10-3Torr以上の前記真空容器内圧力より高い圧力の減圧状態とした前記酸素活性種発生容器内で酸素原子を含む気体分子を高周波電力によるグロー放電によってプラズマ化すると共に、このプラズマにより形成された酸素の活性種を前記基体近傍に供給しつつ、前記酸化物超電導体薄膜を成膜することを特徴とする酸化物超電導体薄膜の製造方法。

IPC (8件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ZAA ,  C01G 29/00 ZAA ,  C04B 35/45 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (8件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C01G 15/00 ZAA C ,  C01G 29/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA L ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA B ,  C04B 35/00 ZAA K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-311306