特許

J-GLOBAL ID：201103046136983575

半導体装置

発明者： 沢田 静雄 ,  荻原 正毅 ,  藤井 秀壮
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-160138
公開番号（公開出願番号）：特開平2-077153
特許番号：特許第2845493号
出願日： 1989年06月22日
公開日（公表日）： 1990年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基体と、上記基体上に形成された第1導電型の第1のウエル領域と、上記基体上に上記第1のウエル領域と分離して形成された上記第1導電型とは逆導電型の第2導電型の第2のウエル領域と、上記基体上の上記第1のウエル領域と第2のウエル領域との間に上記第2のウエル領域と接触するように形成され、上記第2のウエル領域とは不純物濃度が異なる第2導電型の第3のウエル領域と、上記第2のウエル領域に形成された第1導電型の第4のウエル領域と、上記第1及び第4のウエル領域にそれぞれ形成された第1チャネル型のMOSトランジスタと、上記第3のウエル領域に形成された第2チャネル型のMOSトランジスタとを具備し、上記第1及び第4のウエル領域にはそれぞれ独立して電圧を印加し、上記第2及び第3のウエル領域には同一の電圧を印加することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (1件)：

H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-119958
  
• 特開昭61-220469
  
• 特開昭61-115349
  
• 特開昭62-224069