特許
J-GLOBAL ID:201103046528571283

六角格子状にレイアウトされた方形読出し層を有するアモルファスシリコン能動画素センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 野村 泰久 ,  大菅 義之 ,  後藤 政喜
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-021718
公開番号(公開出願番号):特開2000-236416
特許番号:特許第4366702号
出願日: 2000年01月31日
公開日(公表日): 2000年08月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 読出し層を画定する半導体基板であって、該読出し層が、方形に形成された複数の読出しセルを備え、該方形の読出しセルのそれぞれが読出しセルの境界を画定し、該読出しセルの各々が信号入力を備え、該読出しセルが列をなして配置され、各列が、隣接する列中にある読出しセルに対して位置のずれている読出しセルを備える、半導体基板と、 前記読出し層上に形成され、検出層を画定する誘電材料であって、該検出層が、それぞれ六角形に形成されている複数の空洞を有し、該空洞のそれぞれがその一部に前記読出しセルの1つの信号入力と通じる開口を備え、前記空洞が、六角格子状のレイアウトで配列され、前記読出しセルとは対向して配置された、誘電材料と、 前記空洞のそれぞれの中に形成されている真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオードであって、該真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード上に入射する光を表わす出力信号を生成するように作動する、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオードと、 前記空洞のそれぞれの開口内に配置されている相互接続であって、該相互接続が、前記P-I-Nフォトダイオードからの出力信号を前記読出しセルの信号入力へと電気的に伝達するように作用する、相互接続と、 前記P-I-Nフォトダイオード上に配置されている、バイアスをかけられた光学的に透明な電極であって、該光学的に透明な電極が、前記P-I-Nフォトダイオードにバイアスをかけ、該光学的に透明な電極上に入射した光を前記P-I-Nフォトダイオード上に結像するように作用し、また、前記光学的に透明な電極が前記P-I-Nフォトダイオードと共に副画素を画定する、光学的に透明な電極と、 を備え、 前記読出し層が、蛇行する第1の組の導電体と、階段状の第2の組の導電体とを含み、該第1及び第2の組の導電体のそれぞれは、該第1の組の導電体のそれぞれが各読出しセルからの読出し経路を提供するよう、かつ、該第1の組の導電体のそれぞれが2つの隣接する読出しセルの境界に沿って前記第2の組の導電体のそれぞれと同じ位置を延びるよう、前記読出し層中をそれぞれの読出しセルの境界に沿って延びている、ことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (2件):
H04N 1/028 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01)
FI (2件):
H04N 1/028 Z ,  H01L 27/14 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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