半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-106529
公開番号（公開出願番号）：特開平2-285714
特許番号：特許第2549729号
出願日： 1989年04月26日
公開日（公表日）： 1990年11月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】バンドギャップリファレンス回路によりつくられる温度依存のない第1の固定電位Vcを第1の出力とし、前記バンドギャップリファレンス回路によりつくられる温度依存のない第2の固定電位Viを反転入力とすると共にバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧VFの2倍の電位2VFを非反転入力とする負帰還アンプの出力4VF-Viを第2の出力とするバイアス回路と、前記第2の出力の電位4VF-Viより前記バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧VFの4倍の電位4VF下がった電位-Viから、前記バンドギャップリファレンス回路によりつくられる定電流Iによる抵抗1/2・Rでの電圧降下分1/2・R・I下がった電位-Vi-1/2・R・Iを入力スレッシュルド電位とする入力回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 , H01L 21/8222 , H01L 27/082

FI (2件)：

H03K 19/00 101 A , H01L 27/08 101 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-230222
特開昭60-091702
特開昭60-091702

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