特許
J-GLOBAL ID:201103046555453861
シリコンウェハ汚れ検査装置および該方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小谷 悦司
, 小谷 昌崇
, 櫻井 智
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-087613
公開番号(公開出願番号):特開2011-220729
出願日: 2010年04月06日
公開日(公表日): 2011年11月04日
要約:
【課題】本発明は、より簡単な構成で、より簡易な情報処理でシリコンウェハの汚れを検査し得るシリコンウェハ汚れ検査装置およびシリコンウェハ汚れ検査方法を提供する。【解決手段】本発明の一シリコンウェハ汚れ検査装置Saは、測定対象であるシリコンウェハSWの表面へ同時に複数の角度から光を投光する投光部1aと、投光部1によって光を投光されたシリコンウェハSWの表面を撮影する撮影部2と、撮像部2によって得られたシリコンウェハSWの表面の画像を1枚用い、前記画像における輝度が所定の閾値以下である領域を汚れとして検出する検出部31とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
測定対象であるシリコンウェハの表面へ同時に複数の角度から光を投光する投光部と、
前記投光部によって光を投光された前記シリコンウェハの表面を撮影する撮影部と、
前記撮像部によって得られた前記シリコンウェハの表面の画像を1枚用い、前記画像における輝度が所定の閾値以下である領域を汚れとして検出する検出部とを備えること
を特徴とするシリコンウェハ汚れ検査装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
2G051AA51
, 2G051AB01
, 2G051AB07
, 2G051BA05
, 2G051BB02
, 2G051CA03
, 2G051CB01
, 2G051CB05
, 2G051EB01
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