特許
J-GLOBAL ID：201103046577742786
振動式トランスデューサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-256252
公開番号（公開出願番号）：特開平3-118437
特許番号：特許第2722718号
出願日： 1989年09月29日
公開日（公表日）： 1991年05月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコンダイアフラムの表面に振動子が形成された振動式トランスデューサの製造方法において、振動子を形成した後に、最上層であるエピタキシャル層を研磨して平坦化する工程を有することを特徴とする振動式トランスデューサの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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