特許

J-GLOBAL ID：201103046982681654

可変抵抗メモリ装置の製造方法及び可変抵抗メモリ装置

発明者： 朴 瑛 琳 ,  李 ジン 一 ,  安 東 浩 ,  李 始 炯 ,  呉 圭 煥
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-261769
公開番号（公開出願番号）：特開2011-114344
出願日： 2010年11月24日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：

【課題】相変化物質膜を有する可変抵抗メモリ装置の加熱電極の形成方法とこれを利用する可変抵抗メモリ装置を提供する。【解決手段】可変抵抗メモリ装置の製造方法は、加熱電極を形成し、加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成し、そして、可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する。加熱電極はチタニウムより原子の半径が大きい金属窒化物を含み、プラズマを利用しない熱化学蒸着(thermal CVD)法で形成される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

加熱電極を形成する段階と、 前記加熱電極上に可変抵抗の物質膜を形成する段階と、 前記可変抵抗の物質膜上に上部電極を形成する段階と、を有し、 前記加熱電極はチタニウムより原子の半径が大きい金属窒化物を含み、プラズマを利用しない熱化学蒸着法を利用して形成することを特徴とする可変抵抗メモリ装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21