特許
J-GLOBAL ID：201103047055242860
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-027505
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165928
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】 ラッチアップ現象が抑制されたIGBTを提供することを目的とする。【解決手段】 IGBT100は、第1導電型のドリフト領域8と、ドリフト領域8上に設けられている第2導電型のボディ領域10と、ボディ領域10を貫通してドリフト領域8に接しており、平面視したときに第1方向に沿って間隔を置いて配置されている複数のダミートレンチ26と、平面視したときに第1方向に直交する第2方向に沿って間隔を置いて配置されており、ダミートレンチ26を間に置いて設けられている複数の絶縁ゲート23と、ボディ領域10上に設けられており、平面視したときに第1方向に隣り合うダミートレンチ26間に配置されており、ボディ領域10よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第1ボディコンタクト領域30と、第1ボディコンタクト領域30に接触するエミッタ電極を備えている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
絶縁ゲートバイポーラトランジスタであって、
第1導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域上に設けられている第2導電型のボディ領域と、
ボディ領域を貫通してドリフト領域に接しており、平面視したときに第1方向に沿って間隔を置いて配置されている複数のダミートレンチと、
平面視したときに前記第1方向に直交する第2方向に沿って間隔を置いて配置されており、前記ダミートレンチを間に置いて設けられている複数の絶縁ゲートと、
ボディ領域上に設けられており、平面視したときに前記第1方向に隣り合う前記ダミートレンチ間に配置されており、前記ボディ領域よりも不純物濃度が濃い第2導電型の第1ボディコンタクト領域と、
第1ボディコンタクト領域に接触するエミッタ電極と、を備えている絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 655G
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652D
