特許
J-GLOBAL ID：201103047208375539
基板処理装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-071424
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204945
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】基板処理装置で一括して処理される複数枚の半導体基板上に形成する膜の品質ばらつきを低減することができる技術を提供する。【解決手段】加熱処理の前段階では、複数のガス供給孔2322のそれぞれの形成位置(高さ)が、高さ方向において、隣接するウェハ200間の中央位置に近い位置からずれるように配置する。これにより、実際に加熱処理が実施された場合、ずらした高さが、加熱処理でのボート217とガス供給部2321の熱膨張率の相違に起因した伸び代の相違で吸収されて、加熱処理を実施する際には、各ウェハ200の表面に効率よく、かつ、均一に処理ガスを供給することができる。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
内部で基板を処理する反応容器と、
前記基板を支持しつつ加熱する被誘導体と、
複数枚の前記被誘導体を前記反応容器の延在方向に積層保持する被誘導体保持体と、
前記反応容器内の前記被誘導体保持体の側方で前記被誘導体の積層方向に延在し前記被誘導体に支持された複数枚の前記基板に対してガスを供給するガス供給部と、
前記反応容器内に前記被誘導体保持体に保持された複数枚の前記被誘導体を誘導加熱する誘導加熱装置と、
を有し、
前記ガス供給部は、前記被誘導体保持体とは熱膨張率の異なる材料で形成されており、前記誘導加熱装置が前記被誘導体を誘導加熱し、前記被誘導体に支持された前記基板を加熱処理する際に、熱膨張により、前記ガス供給部に設けられた複数のガス供給孔のそれぞれが、前記加熱処理をする前よりも、高さ方向において、隣接する前記基板間の中央位置に近い位置に配置されるように設定されている基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/683
5F031CA02
, 5F031HA64
, 5F031HA67
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045EE20
, 5F045EF03
, 5F045EK03
, 5F045EM08
, 5F045GB02
