半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166219
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068511
特許番号：特許第3639745号
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置のトランジスタ形成工程において、フィールド酸化膜と活性領域とを形成した半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に、上部と側壁部が絶縁膜で覆われたゲート電極を形成するとともに、ゲート電極が存在しない活性領域表面を露出させる工程と、上記活性領域と直接接するようにシリコン膜を堆積する工程と、上記シリコン膜を堆積した直後に上記シリコン膜をエッチバックし、ゲート電極上部の絶縁膜を露出させるとともに、少なくともゲート電極の周りに、ゲート電極側壁絶縁膜を介して上記シリコン膜を残し、かつ、上記残したシリコン膜により、活性領域表面を覆う工程と、上記シリコン膜をフィールド酸化膜上で所望のパターンにパターンニングし、ソース領域とドレイン領域となる領域に分離する工程と、前記シリコン膜上部に、高融点金属膜を堆積する工程と、急速加熱処理により前記高融点金属膜を前記シリコン膜と反応させ高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、未反応の前記高融点金属膜をエッチング除去する工程と、イオン注入法により半導体基板と逆導電型の不純物を前記高融点金属シリサイド膜中に注入する工程と、層間絶縁膜を堆積する工程と、前記不純物が導入された高融点金属シリサイド膜から前記半導体基板中に不純物を拡散させ、パターンニングされたシリコン膜を含む積み上げ拡散層領域であるソース、ドレイン領域を形成する工程とを、順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 S

引用特許：

審査官引用 (30件)

特開平3-138930
特開平3-159133
特開平1-183136

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