特許
J-GLOBAL ID:201103047378677734
伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-530133
公開番号(公開出願番号):特表2011-519111
出願日: 2008年10月17日
公開日(公表日): 2011年06月30日
要約:
本発明は、(a)導電性銀粉末と;(c)フッ素を含有するガラスフリットとを;(d)有機ビヒクルに分散させて含む厚膜伝導性組成物およびそれらから作製されるデバイスに関する。
請求項(抜粋):
a)導電性銀と;
b)1つまたは複数のガラスフリット組成物であって、前記ガラスフリット組成物の少なくとも1つが、全ガラスフリットの重量%を基準にして、4〜26重量%のSiO2、6〜52重量%のBi2O3および5〜29重量%のPbF2を含む、1つまたは複数のガラスフリット組成物とを;
c)有機ビヒクル
に分散させて含む厚膜伝導性組成物。
IPC (4件):
H01B 1/16
, H01L 31/04
, H01L 21/288
, H01L 21/28
FI (6件):
H01B1/16 A
, H01L31/04 H
, H01L21/288 Z
, H01L21/28 301R
, H01L31/04 M
, H01L21/288 M
Fターム (32件):
4M104AA01
, 4M104BB08
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104DD28
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104GG05
, 4M104HH16
, 5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA16
, 5F151CB12
, 5F151CB13
, 5F151CB15
, 5F151CB20
, 5F151DA03
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151HA03
, 5F151KA09
, 5F151KA10
, 5G301DA03
, 5G301DA35
, 5G301DA36
, 5G301DA37
, 5G301DA38
, 5G301DD01
前のページに戻る