特許

J-GLOBAL ID：201103047420911955

半導体記憶装置

発明者： 前田 和範
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031108
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231800
特許番号：特許第3180317号
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 入力端子に接続され、第1、第2及び第3のクロック信号に基づいて、交互に動作する第1及び第2のラッチ回路を有する通常時データ入力回路を備え、入力端子から順次に入力されるデータを、前記第1のラッチ回路又は前記第2のラッチ回路を経由してメモリセルに書き込む半導体記憶装置において、前記入力端子に接続され、前記第1のクロック信号に基づいて動作する第3のラッチ回路を有するテスト時データ入力回路を備え、通常時には前記通常時データ入力回路を経由し、テスト時には前記テスト時データ入力回路を経由して、夫々メモリセルにデータを書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 671 ,  G11C 11/401 ,  G11C 11/407

FI (3件)：

G11C 29/00 671 Z ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 371 A