特許

J-GLOBAL ID：201103047436517661

半導体装置の製造方法

発明者： 大川 修
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-187662
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040625
出願日： 2009年08月13日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】モールド金型のキャビティ内で硬化した樹脂封止体を破損させることなく、キャビティから取り出すことのできる技術を提供する。【解決手段】モールド金型のキャビティ内にある樹脂封止体12cを下金型3から離型するときに、まず、下型エジェクタピン5aにより樹脂封止体12cを、その厚さの、例えば1〜2割程度押し上げた後、プランジャ14を上昇させる。次に、プランジャ14によりカル内の樹脂封止体12cを押し上げることにより樹脂封止体12cの全体を斜めに押し上げて、下型エジェクタピン5aの先端部から剥離する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

キャビティ、前記キャビティと連通し、モールドレジンの流入経路となるランナ、前記ランナと連通し、前記モールドレジンの流入源となるカル、および前記カルと連通し、前記モールドレジンが投入されるポットが形成された下金型と、前記下金型の上方に位置する上金型と、前記ポットに収容され、前記ポットに投入された前記モールドレジンを押し出すプランジャとを有するモールディング装置を用いて半導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、 (a)前記半導体チップを搭載した被モールド部材を用意する工程と、 (b)前記下金型の前記キャビティ上に前記半導体チップが位置するように、前記被モールド部材を前記下金型と前記上金型とで挟む工程と、 (c)前記ポット内に前記モールドレジンが収まる第1位置に置かれた前記プランジャを、前記第1位置から前記第1位置よりも高い第2位置へ押し上げて、前記ポットに投入された前記モールドレジンを前記キャビティ内に充填させる工程と、 (d)前記下金型と前記上金型とを開く工程と、 (e)前記プランジャを前記第2位置から前記第2位置よりも低い第3位置へ下降させる工程と、 (f)下型エジェクタピンを上昇させて、前記キャビティ内の前記モールドレジンが硬化した樹脂封止体を前記下型エジェクタピンで押し上げる工程と、 (g)前記(f)工程の後、前記プランジャを前記第3位置から前記下型エジェクタピンの先端部よりも高い第4位置まで上昇させて、前記カル内の前記モールドレジンが硬化した樹脂封止体を前記プランジャで押し上げて、前記キャビティ内の前記モールドレジンが硬化した樹脂封止体から前記下型エジェクタピンの先端部を離型する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/40 ,  B29C 45/03 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14

FI (5件)：

H01L21/56 T ,  B29C45/40 ,  B29C45/03 ,  B29C45/02 ,  B29C45/14

Fターム (40件)：

4F202AA36 ,  4F202AB03 ,  4F202AC01 ,  4F202AD19 ,  4F202AG03 ,  4F202AH37 ,  4F202AR07 ,  4F202AR08 ,  4F202AR11 ,  4F202AR12 ,  4F202CA12 ,  4F202CB01 ,  4F202CB17 ,  4F202CM02 ,  4F202CM09 ,  4F202CQ03 ,  4F206AA36 ,  4F206AB03 ,  4F206AC01 ,  4F206AD19 ,  4F206AG03 ,  4F206AH37 ,  4F206AR07 ,  4F206AR08 ,  4F206AR11 ,  4F206AR12 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF05 ,  4F206JM06 ,  4F206JN41 ,  4F206JQ81 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA12 ,  5F061DA15 ,  5F061DB01 ,  5F061DE03 ,  5F061DE04