特許
J-GLOBAL ID：201103047449255828
イオン源によるドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-339525
公開番号（公開出願番号）：特開平3-196621
特許番号：特許第2502392号
出願日： 1989年12月26日
公開日（公表日）： 1991年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】イオン銃とニュートライザを配備した真空チャンバ内に、導電性物質からなる基板材の表面に絶縁性物質からなるマスク材によりマスクパターンを形成した被加工基板を設置しイオン照射してドライエッチングを行う方法において、前記被加工基板を接地し、被加工基板のイオン照射面の前面にプローブを配置して、前記プローブと接地間の電圧または電流をモニタすることでマスク材表面の帯電状態を近似的に検出し、ニュートライザの電流を調節してマスク材の帯電を制御することを特徴とするイオン源によるドライエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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