特許

J-GLOBAL ID：201103047628575193

集積回路と実装基板の接続構造

発明者： 宇田 尚典 ,  孝谷 卓哉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334023
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141435
特許番号：特許第4376444号
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 裏面に導体板からなるグランド板を有する低誘電率の誘電体実装基板の表面に形成された第1の間隔を有する2本のグランド線とそれらの間に設けられた信号線とから成る第1のコプレーナ線路と、高誘電率の誘電体に形成された集積回路に接続され、前記第1の間隔よりも狭い第2の間隔を有する2本のグランド線とそれらの間に形成された信号線とから成る第2のコプレーナ線路とを接続する集積回路と実装基板の接続構造において、 前記第1のコプレーナ線路と前記第2のコプレーナ線路との接続部が、 前記第1のコプレーナ線路の2本のグランド線の前記第1の間隔に前記第2のコプレーナ線路の2本のグランド線の間隔を合わせた第1の部分である接続構造の第1の範囲と、 前記第2のコプレーナ線路の2本のグランド線の前記第2の間隔に前記第1のコプレーナ線路の2本のグランド線の間隔を合わせた第2の部分である接続構造の第2の範囲と、 第1の部分と第2の部分をつなぐ中間部とから成る接続構造の第3の範囲とを有し、 前記接続構造の第1、第3、及び第2の範囲においては、前記第1のコプレーナ線路の2本のグランド線と前記第2のコプレーナ線路の2本のグランド線がバンプにより接続されており、 前記接続構造の第1の範囲において、前記第1のコプレーナ線路の信号線と前記第2のコプレーナ線路の信号線がバンプにより接続されており、 前記接続構造の第2の範囲においては、前記第1のコプレーナ線路の信号線は形成されておらず、 前記接続構造の第2の範囲において、前記誘電体実装基板に設けられたスルーホールにより前記第1のコプレーナ線路のグランド線と前記グランド板が接続されており、 前記スルーホールの近傍及び導波路を形成するグランド線の外形線に沿って前記バンプが形成されていることを特徴とする集積回路と実装基板の接続構造。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H05K 1/18 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H05K 1/18 J

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高周波半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058192   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-101051   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 高周波半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058192   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-101051   出願人：松下電器産業株式会社