特許
J-GLOBAL ID：201103047699876542
共役系高分子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸石 光▲ひろ▼ (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-292559
公開番号（公開出願番号）：特開平3-152122
特許番号：特許第2819692号
出願日： 1989年11月09日
公開日（公表日）： 1991年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一般式X1-G′+-CH2-R1-CH2-G′+X1-R1:-CH=CH-と連続した炭素-炭素共役系を形成する基R2,R3:炭素数1〜20の炭化水素基、R4:炭素数4〜20の二官能の炭化水素基X1-:対イオンで表わされる2官能のモノマーと、一般式R5CH2-G′′+X2-)nR5:-CH=CH-と連続した炭素-炭素共役系を形成する基R6,R7:炭素数1〜20の炭化水素基、R8:炭素数4〜20の二官能の炭化水素基、X2-:対イオンn:3以上の整数、で表わされる3官能以上のモノマーとを共重合して得られる共役系高分子前駆体を不活性雰囲気下で脱スルホニウム塩処理することを特徴とする共役系高分子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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