特許
J-GLOBAL ID：201103047700821560

集積回路の設計方法

発明者：
田中 正和

田中 正和 について

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福井 正博

福井 正博 について

, 
築山 修治

築山 修治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-041656
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319977
特許番号：特許第3434802号
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 集積回路の設計方法であって、前記集積回路の性能を評価する集積回路評価工程と、前記集積回路評価工程による評価結果に基づいて、前記集積回路を構成するセルの中から、性能を変更するセルを少なくとも1つ選択する変更セル選択工程と、前記変更セル選択工程によって選択されたセルの性能を、変更するセル性能変更工程とを備え、前記集積回路評価工程、前記変更セル選択工程およびセル性能変更工程を繰り返し実行するものであり、前記集積回路評価工程は、複数の評価手法の中から、所定の条件に応じて、1つを選択し、選択した評価手法を用いて、前記集積回路に含まれたセルの性能評価を行うものであり、前記複数の評価手法の1つは、セルの性能に関する情報が格納されており、かつ、少なくとも1つのセルについて、2種類以上の性能特性が準備されているライブラリを用い、前記ライブラリに準備された2種類以上の性能特性を、補間近似することによって、当該セルの性能を評価するものであることを特徴とする集積回路の設計方法。
IPC (3件)：
H01L 21/82 ,  G06F 17/50 654 ,  G06F 17/50 658
FI (6件)：
G06F 17/50 654 K ,  G06F 17/50 658 T ,  G06F 17/50 658 U ,  H01L 21/82 D ,  H01L 21/82 C ,  H01L 21/82 S
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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