半導体装置及び半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-223354
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100980
出願日： 2010年10月01日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分(水素原子や、H2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極層と、前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上のソース電極層及びドレイン電極層と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する酸化シリコン層を有し、前記酸化物半導体層と前記酸化シリコン層の界面に混合領域が設けられ、前記混合領域は、酸素、シリコン、及び前記酸化物半導体層に含まれる金属元素を少なくとも一種類以上含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (8件)：

H01L29/78 618G , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (87件)：

2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092MA05 , 2H092MA17 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107EE03 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG36 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-313579 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-196038 出願人：キヤノン株式会社

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