特許

J-GLOBAL ID：201103048174256035

4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法

発明者： 阿久津 光男 ,  川原 真樹
出願人/特許権者： 株式会社ADEKA
代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291501
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240586
特許番号：特許第4521955号
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1)で表される4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法であって、 第一工程として、塩基の存在下、下記一般式(2)で表される2,6-置換フェノール誘導体と、下記一般式(3)で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体 とをカップリング反応させて、下記一般式(4)で表される中間体を得た後、 第二工程として、酸発生物質の存在下、該中間体化合物の置換基R4 及びR5 を脱離させることにより、上記一般式(1)で表される化合物を得ることを特徴とする4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法。 (式中、R1 、R2 、R3 は、同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、R’が水素原子或いは炭素原子数1〜12の炭化水素である-CH2 -R’、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基又はR”が炭素原子数1〜12の炭化水素基である-CO-R”基を表す) (式中、R4 、R5 は、同一でも異なってもよく、炭素数3〜10の二級又は三級のアルキル基、炭素数4〜10の二級又は三級のアルケニル基、炭素数8〜18のアラルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す) (式中、Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す)

IPC (5件)：

C07C 253/30 ( 200 6.01) ,  C07C 37/50 ( 200 6.01) ,  C07C 39/15 ( 200 6.01) ,  C07C 255/53 ( 200 6.01) ,  C07B 61/00 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C07C 253/30 ,  C07C 37/50 ,  C07C 39/15 ,  C07C 255/53 ,  C07B 61/00 300

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 置換フタロシアニン
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-519606   出願人：イギリス国

引用文献：

出願人引用 (4件)

• J.Chem.Soc.,Chem.Commun, 19880201, p203-204
• Chemistry Letters, 1998, p931-932
• Zhurnal Obshchei Khimii, 1988, 58(5), p.1075-1079
• Chemistry--A European Journal, 1988, 14(9), p.1633-1640