特許

J-GLOBAL ID：201103048337797632

半導体装置

発明者： 田中 丈士 ,  和島 峰生 ,  橋本 達志
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273681
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102563
特許番号：特許第3945085号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaAs基板上に成長され、凹型欠陥の発生する方向が〔110〕、〔1-10〕あるいはこれと等価な方位に揃えられている(Al1-yGay)1-xInxAs(但し、0<x≦1、0≦y≦1)化合物半導体多層薄膜を用いて、チャネル層下にバッファ層を作成した半導体装置において、前記チャネル層の上方に配置される電極の長手方向を、前記化合物半導体多層薄膜上に存在する前記凹型欠陥の配向方向に一致させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/80 H