特許

J-GLOBAL ID：201103048778481649

磁性体の磁化反転方法、メモリ

発明者： 大森 広之 ,  細見 政功 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  大石 雄紀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264865
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108991
出願日： 2009年11月20日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】磁性体の磁化の方向を反転させるために必要となる電流量を低減することが可能である、磁性体の磁化反転方法を提供する。【解決手段】磁性体31と、この磁性体31に接して配置され、電圧の印加により磁性体31の磁気特性を直接的に、或いは、間接的に、変化させることが可能な絶縁体32とを含む素子40を構成する。そして、磁性体31の磁化Mの歳差運動の周期の2分の1の周期で変調させた電圧を、この素子40に対して印加して、素子40の磁性体31の磁化Mの方向を反転させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

磁性体の磁化の方向を反転させる方法であって、 少なくとも1つの磁性体と、前記磁性体に接して配置され、電圧の印加により前記磁性体の磁気特性を直接的に、或いは、間接的に、変化させることが可能な絶縁体とを含む素子に対して、 前記磁性体の磁化の歳差運動の周期の2分の1の周期で変調させた電圧を、前記素子に印加して、前記磁性体の磁化の方向を反転させる 磁化反転方法。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 140

Fターム (12件)：

4M119AA03 ,  4M119CC02 ,  4M119CC03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD42 ,  5F092AB07 ,  5F092AC04 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB42