特許
J-GLOBAL ID：201103048957888174

半導体装置とその製造方法

発明者：
三上光夫

三上光夫 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258003
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085559
特許番号：特許第4139533号
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ペレットの端子を形成した側の面である端子面上に、選択めっき形成された配線部を設け、該配線部に半導体ペレットの端子とは別の、半田ボールからなる第2の端子部を、半導体ペレットの各端子と接続させて二次元的に配列させ、外部端子部とした半導体装置であって、端子領域を除き、半導体ペレットの端子面側全体を覆った平坦な絶縁性の最終保護膜上に、第2の端子部を含む配線部を粘接着性絶縁層を介して配設したもので、配線部は、接続部を介して、半導体ペレットの端子と電気的に接続されており、且つ、半導体ペレットの端子面側表面を、第2の端子部のみを突出するように、封止層を兼ねる絶縁層で覆っており、前記配線部は選択めっき形成された導電性層からなり、且つ、前記粘接着性絶縁層は電着樹脂層からなり、前記配線部は、該粘接着性絶縁層を介して転写により配設されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 604 R ,  H01L 21/88 T
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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