特許
J-GLOBAL ID：201103049092388800
半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095023
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299642
特許番号：特許第3651666号
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】表面に3C型結晶構造のSiC領域が形成された基板と、前記SiC領域とショットキー接合を形成する金属層と、前記SiC領域と前記金属層との間に介在し、当該金属層からの電流注入を可能とする、Siを構成元素とする絶縁薄膜とを備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
