特許

J-GLOBAL ID：201103049170649284

SiGe結晶およびその製造方法

発明者： 阿部 孝夫 ,  米永 一郎
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-348218
特許番号：特許第3952354号
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 チョクラルスキー法によりSixGe1-x(0<X<1)の結晶を引き上げる際に、引上げ結晶のドーパント濃度が、p型の場合は0.8×1019〜1.5×1020atoms/cm3の範囲、n型の場合は4×1018〜8×1019atoms/cm3になるようにドープ量を制御して結晶を引き上げるSixGe1-x(0<X<1)結晶の製造方法であって、前記結晶を構成する結晶粒の大きさが5×10-5mm3以上であり、電気抵抗率が1×10-5〜1×10-4Ωmの範囲であることを特徴とする熱電素子材料として用いられるSixGe1-x(0<X<1)結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/02 ( 200 6.01) ,  C30B 29/52 ( 200 6.01) ,  H01L 35/14 ( 200 6.01) ,  H01L 35/34 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C01B 33/02 E ,  C30B 29/52 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 熱電変換材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264725   出願人：出光石油化学株式会社
• 熱電材料および熱電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-139587   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平4-285096
  
• 特開昭61-149453
  

審査官引用 (4件)

• 熱電変換材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-264725   出願人：出光石油化学株式会社
• 熱電材料および熱電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-139587   出願人：日産自動車株式会社
• 特開平4-285096
  
• 特開昭61-149453
  

引用文献：

出願人引用 (1件)

• THE CHEMICAL CHARACTERIZATION OF SILICON-GERMANIUM THERMOELECTRIC ALLOYS

審査官引用 (1件)

• THE CHEMICAL CHARACTERIZATION OF SILICON-GERMANIUM THERMOELECTRIC ALLOYS