特許

J-GLOBAL ID：201103049195077080

パーティクル汚染防止方法及びパーティクル汚染防止構造

発明者： 唐澤 康人
出願人/特許権者： 株式会社クリーントランスポートマトリックス
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394684
公開番号（公開出願番号）：特開2003-190894
特許番号：特許第3631997号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定の清浄度の環境において水平に配置された基板の表面に沿って清浄ガスを、当該基板の表面に対して所定の相対速度にて流すことにより、当該基板の表面上の全域にわたり、層流境界層、遷移層及び乱流境界層を形成したことを特徴とするパーティクル汚染防止方法。

IPC (5件)：

B08B 5/00 ,  B08B 17/02 ,  B65G 49/00 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

B08B 5/00 Z ,  B08B 17/02 ,  B65G 49/00 A ,  H01L 21/304 645 A ,  H01L 21/304 648 L ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243927   出願人：株式会社荏原製作所