特許
J-GLOBAL ID：201103049344802133
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-129147
公開番号（公開出願番号）：特開平2-307263
特許番号：特許第2770416号
出願日： 1989年05月22日
公開日（公表日）： 1990年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の表面部の第1導電型領域の表面部に第1の第2導電型不純物を選択的に導入した第1の第2導電型不純物層及び第2の第2導電型不純物層をそれぞれドレイン及びソースとする転送用トランジスタ並びに前記転送用トランジスタに接続される蓄積キャパシタを有する1トランジスタ型メモリセルと、前記第1の第2導電型不純物層及び第2の第2導電型不純物層と同一工程で形成された第3の第2導電型不純物層及び第4の第2導電型不純物層並びに前記第3の第2導電型不純物層及び第4の第2導電型不純物層内にこれらとそれぞれ自己整合して前記第1の不純物と異なる第2の不純物を選択的に導入した第5の第2導電型不純物層及び第6の第2導電型不純物層をそれぞれドレイン及びソースとする二重拡散型のトランジスタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
