特許

J-GLOBAL ID：201103049349401757

中性遷移金属錯体を含む光電子部品

発明者： イエルジン、ハルトムト ,  フィッシャー、トビアス ,  クツェルビーニーク、ラファル ,  モンコビウス、ウベ
出願人/特許権者： メルク パテント ゲーエムベーハー
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-550056
公開番号（公開出願番号）：特表2011-514000
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

本発明は電子部品中の発光体または吸収体としての組成物の使用に関し、当該組成物は第一中性遷移金属錯体および第二中性遷移金属錯体を有する。本発明に従うと、第一遷移金属錯体および第二遷移金属錯体は共に柱状構造を形成する。本発明はさらに前記組成物を有する電子部品の製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

電子部品における組成物の使用であって、当該組成物が 第一中性遷移金属錯体と 第二中性遷移金属錯体とを含み、 当該第一遷移金属錯体および当該第二遷移金属錯体が共に柱状構造を形成する使用。

IPC (6件)：

H01L 51/50 ,  C07F 15/00 ,  C07F 1/12 ,  C07F 1/10 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/42

FI (9件)：

H05B33/14 B ,  C07F15/00 F ,  C07F15/00 E ,  C07F15/00 B ,  C07F15/00 C ,  C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C09K11/06 660 ,  H01L31/04 D

Fターム (19件)：

3K107AA01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC21 ,  3K107DD53 ,  3K107DD59 ,  3K107DD64 ,  3K107DD69 ,  3K107FF14 ,  3K107GG00 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VB10 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  5F151AA11 ,  5F151DA07 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03