特許

J-GLOBAL ID：201103049414367839

化合物半導体基板の製造方法

発明者： 森 英史 ,  太刀川 正美
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-002251
公開番号（公開出願番号）：特開平2-181914
特許番号：特許第2690769号
出願日： 1989年01月09日
公開日（公表日）： 1990年07月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の半導体基板上に第2の半導体層を形成する化合物半導体基板の製造方法において、第1の半導体基板を薄片化する工程と、第2の半導体層を形成し終った時の第2の半導体層の膜厚より薄い部分を有する第1の半導体基板を用いて、第2の半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/306 B