特許

J-GLOBAL ID：201103049750015550

静電容量型タッチパネルの製造方法および静電容量型タッチパネル

発明者： 今関 佳克
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-065813
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198207
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】カバーの材質にかかわらず、カバー自身に入力位置検出用電極を一体に設けることができ、入力位置検出用電極を設けたガラス基板を省略することのできるタッチパネルの製造方法、およびタッチパネルを提供すること。【解決手段】静電容量型タッチパネルを製造するにあたって、絶縁層形成工程および電極形成工程においてガラス基板20に絶縁層28および入力位置検出用電極21を順次形成した後、ガラス基板20において入力位置検出用電極21および絶縁層28が形成されている面側を接着剤層22によってカバー90に接着する。次に、ガラス基板20を除去する。その結果、絶縁層28および入力位置検出用電極21はカバー90の側に転写されるので、静電容量型タッチパネル1になった時点では、入力位置検出用電極21が形成されたガラス基板20が存在しない。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

カバーと、該カバーの一方面側に設けられた入力位置検出用電極と、を備えた静電容量型タッチパネルの製造方法であって、 ガラス基板の一方面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 前記絶縁層上に前記入力位置検出用電極を形成する電極形成工程と、 前記ガラス基板の一方面側と前記カバーの一方面側とを接着剤層により貼り合わせる貼り合わせ工程と、 前記カバーの一方面側に前記接着剤層、前記入力位置検出用電極および前記絶縁層を残して前記ガラス基板を除去するガラス基板除去工程と、 を有することを特徴とする静電容量型タッチパネルの製造方法。

IPC (2件)：

G06F 3/041 ,  G06F 3/044

FI (2件)：

G06F3/041 330D ,  G06F3/044 E

Fターム (6件)：

5B068AA33 ,  5B068BB09 ,  5B068BC02 ,  5B068BC08 ,  5B087CC02 ,  5B087CC13