特許
J-GLOBAL ID：201103050149072560
高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-027990
公開番号（公開出願番号）：特開平2-206192
特許番号：特許第2869995号
出願日： 1989年02月06日
公開日（公表日）： 1990年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(100)n型半導体基板上、または(100)n型半導体基板上にエピタキシャル成長したn型半導体層上に、該n型半導体よりも狭い禁制帯幅を有する活性層をエピタキシャル成長する工程と、該ヘテロエピタキシャル層に選択的エッチングを施し、該活性層の両脇が凹状になったメサストライプを〈011〉方向に形成する工程と、該活性層の両脇の凹部分に該メサストライプの高さを上回る厚みの電子を捕獲する深い準位を有した高抵抗半導体層を選択的に埋め込み成長する工程と、該埋め込み成長によって現れた該高抵抗半導体層上の(111)B面を化学エッチングにより、高次の面に変える工程と、該高抵抗半導体層上、及び高次の面が現れた該高抵抗半導体層側面上にn型半導体層を選択的にエピタキシャル成長する工程と、該活性層よりも広い禁制帯幅を有するp型半導体層を該活性層上、及び該n型半導体層上に表面が平坦になるまでエピタキシャル成長する工程とを少なくとも含むことを特徴とした高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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