特許
J-GLOBAL ID：201103050401638963
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110668
特許番号：特許第3969693号
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、この半導体基板表面に形成されたチャンネル形成領域と、このチャンネル形成領域の両側に対抗して形成されたソース及びドレイン領域と、このチャンネル形成領域表面に形成されたゲート酸化膜と、このゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート酸化膜が、膜中の酸素原子の同位体の内の一種が99.78%以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
