特許

J-GLOBAL ID：201103050474199372

MOCVD法による酸化物超電導体の合成方法

発明者： 内川 英興 ,  松野 繁 ,  江川 邦彦 ,  吉崎 浄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-301940
公開番号（公開出願番号）：特開平3-197302
特許番号：特許第2821207号
出願日： 1989年11月22日
公開日（公表日）： 1991年08月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】有機金属を化学気相蒸着させてMOCVD法により酸化物超電導体を合成する方法において、該有機金属原料に1,4ジオキサン蒸気を接触させることを特徴とする、MOCVD法による酸化物超電導体の合成方法。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 16/30 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C23C 16/30 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA Z