特許
J-GLOBAL ID：201103050613069446
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-296912
公開番号（公開出願番号）：特開平3-156975
出願日： 1989年11月15日
公開日（公表日）： 1991年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】LOCOS酸化膜で素子間分離をする半導体装置の製造方法において、前記LOCOS酸化膜下に通常の素子間分離に必要な不純物濃度より低い一導電型のチャンネルストッパ領域を形成する工程と、前記LOCOS酸化膜に隣接して逆導電型のソースあるいはドレイン領域を形成る工程と、前記LOCOS酸化膜に隣接して斜めイオン注入により前記チャンネルストッパ領域より濃度の高い埋め込みチャンネルストッパ領域を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
