特許
J-GLOBAL ID：201103050986981676
半導体装置およびそれを利用した発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-081868
公開番号（公開出願番号）：特開平2-260580
出願日： 1989年03月31日
公開日（公表日）： 1990年10月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Si基板上にGaAsやAlGaAsのエピタキシヤル成長層を有する半導体装置において、上記エピタキシヤル層間にAlAs組成を0.4から0.5の間に調整したAlGaAsとGaAsとから成る超格子層を導入したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
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