特許

J-GLOBAL ID：201103051108598619

半導体装置及びその製造方法

発明者： 一條 尚生 ,  アルベルト・アダン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-254439
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100847
出願日： 2009年11月05日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】 オン抵抗を増大させることなく、高耐圧化を実現させることが可能な半導体装置を実現する。 【解決手段】 P型の半導体基板1内には、P型ボディ領域3と、P型ボディ領域3に対して基板面に平行な方向に離間して形成されたN型ドリフト領域5と、N型ドリフト領域内のフィールド酸化膜11で分離された領域に形成された、N型ドリフト領域5より高濃度N型のドレイン領域8と、P型ボディ領域3内に形成された、N型ドリフト領域5より高濃度N型のソース領域6を備える。そして、P型ボディ領域3の一部底面に離散的に連結すると共に、それぞれが基板面に平行な方向に延伸し、各先端がドリフト領域5内に達するよう、N型ドリフト領域5より高濃度のP型埋め込み拡散領域4が形成される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板内に形成された前記第1導電型のボディ領域と、 前記半導体基板内において、前記ボディ領域に対して前記半導体基板の基板面に平行な第1方向に離間して形成された第2導電型のドリフト領域と、 前記ドリフト領域内に形成された、当該ドリフト領域より高濃度の前記第2導電型のドレイン領域と、 前記ボディ領域内に形成された、前記ドリフト領域より高濃度の前記第2導電型のソース領域と、 前記ボディ領域の底面に連結すると共に、前記ボディ領域から前記第1方向に延伸する複数の突出部を有し、前記突出部の各先端が前記ドリフト領域内に達するように形成された前記第1導電型の埋め込み拡散領域と、 前記ボディ領域の一部及び前記ドリフト領域の一部に共通にオーバーラップして形成されたゲート酸化膜と、 前記ゲート酸化膜の上層に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301D

Fターム (24件)：

5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BD19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BH02 ,  5F140BH05 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC12 ,  5F140CD01