特許
J-GLOBAL ID：201103051144812112
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-028186
公開番号（公開出願番号）：特開平2-207571
特許番号：特許第2538024号
出願日： 1989年02月07日
公開日（公表日）： 1990年08月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第一導電型の半導体基板と、前記第一導電型の半導体基板に形成された第二導電型の高抵抗半導体層と、前記第二導電型の高抵抗半導体層に形成された一方向に長い凹形状のトレンチ溝と、前記トレンチ溝の側面および底面に形成された第一導電型の第一の高抵抗領域と、前記第一導電型の第一の高抵抗領域の外側に形成された第二導電型の第一の領域と、前記第二導電型の第一の領域に接して前記第二導電型の高抵抗半導体層に形成された第一導電型の第二の高抵抗領域と、前記半導体表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を隔てて前記トレンチ溝に形成された転送ゲート電極とを備え、前記転送ゲート電極の一部が前記第一導電型の第一の高抵抗領域と前記第一の導電型の第二の高抵抗領域との間の読出しゲート電極を兼ね、前記第一導電型の第一の高抵抗領域と前記第二導電型の第一の領域が転送チャンネルを構成し、前記第一導電型の第二の高抵抗領域が前記第二導電型の第一の領域および前記第二導電型の高抵抗半導体層との接合によりフォトダイオードを構成することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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