特許
J-GLOBAL ID：201103051194159878
基板製造方法および基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310097
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118106
特許番号：特許第3934323号
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SOG膜が形成された基板を製造する基板製造方法であって、
ホウ素とリンとを含むシリカ膜にアミン類のガスを吸着させた下地膜を基板表面に形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜上にシリカ化合物を含む溶液を塗布する塗布工程と、
前記溶液を塗布した基板の周辺にアミン類のガスと水蒸気とを含む雰囲気を形成するガス供給工程と、
前記下地膜を加熱することによって前記下地膜に吸着されたアミン類のガスを放出して前記溶液の底部からアミン類のガスを拡散させる加熱工程と、
を備えることを特徴とする基板製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 M
, H01L 21/316 P
, H01L 21/31 A
, H01L 21/90 Q
