特許
J-GLOBAL ID:201103051333867190

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司 ,  井上 誠一
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-210762
公開番号(公開出願番号):特開2002-026711
特許番号:特許第3587299号
出願日: 2000年07月12日
公開日(公表日): 2002年01月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】異なるスレッショルド電圧をもつ素子が混在する半導体集積回路において,低いスレッショルド電圧を持つ素子で構成されるブロックの電源をコントロールする手段と,前記低いスレッショルド電圧を持つ素子で構成されるブロックの電源を供給しない時,前記低いスレッショルド電圧を持つ素子で構成されるブロックからの出力信号を所定のレベルに固定する手段と,前記低いスレッショルド電圧を持つ素子で構成されるブロックに電源を供給しない時,前記出力信号が所定のレベルに固定された後に,前記低いスレッショルド電圧を持つ素子で構成されるブロックへの入力電圧を所定のレベルに固定する手段とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (1件):
H03K 19/00
FI (1件):
H03K 19/00 A
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-179252   出願人:富士通株式会社
  • 論理回路およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-131136   出願人:日本電信電話株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-013221   出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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